在1997年时,GMR巨磁阻效应磁头诞生了。新磁头相比MR磁头而言更加敏感,如果说用MR磁头能够达到3~5Gb/inch2的存储密度,那么使用GMR之后,存储密度可以达到10~40Gb/inch2,相对于以前提高了8倍之多,硬盘的储存密度又一次上升。
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在1997年时,另一项划时代的技术诞生了,那就是GMR巨磁阻效应磁头。新磁头相比MR磁头而言更加敏感,如果说用MR磁头能够达到3~5 Gb/inch2的存储密度,那么使用GMR之后,存储密度可以达到10~40Gb/inch2,相对于以前提高了8倍之多,这使硬盘的存储密度又上了一个台阶。
不过,由于现有的硬盘区域密度达到了相当高的水平,进一步的发展受到了超顺磁效应限制,要继续推动硬盘技术的发展,需要引入新的技术。
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IBM公司研发出革命性技术:GMR巨磁阻效应磁头所取得的突破性进展!
在1997年时,GMR巨磁阻效应磁头诞生了。新磁头相比MR磁头而言更加敏感,如果说用MR磁头能够达到3~5Gb/inch2的存储密度,那么使用GMR之后,存储密度可以达到10~40Gb/inch2,相对于以前提高了8倍之多,硬盘的储存密度又一次上升。
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在1997年时,另一项划时代的技术诞生了,那就是GMR巨磁阻效应磁头。新磁头相比MR磁头而言更加敏感,如果说用MR磁头能够达到3~5 Gb/inch2的存储密度,那么使用GMR之后,存储密度可以达到10~40Gb/inch2,相对于以前提高了8倍之多,这使硬盘的存储密度又上了一个台阶。
不过,由于现有的硬盘区域密度达到了相当高的水平,进一步的发展受到了超顺磁效应限制,要继续推动硬盘技术的发展,需要引入新的技术。
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