易家知识网 |
全站导航
加入收藏
知识
首页 知识 计算机历史

贝尔实验室1967年开创浮栅MOSFET闪存之先河

2023-03-09 10:02:01 编辑：魔法怎么失灵啦
编辑有话说：贝尔实验室在1967年发明了浮栅MOSFET，该技术为闪存的发展打下了基础，推动了半导体存储器的进步和革新。

1967年。贝尔实验室江大原（Dawon Kahng，韩裔）和施敏博士（Simon Sze）共同发明了浮栅MOSFET，即所有闪存，EEPROM和EPROM的基础。

贝尔实验室于1967年发明了浮栅MOSFET，打下闪存的基础

扩展阅读

浮栅MOSFET，可以把电子牢牢关在基板和金属浮栅极之间的一片小小导体中。这种结构，是NAND闪存的基础。

浮栅MOSFET的栅极是电绝缘的，从而在直流电中产生浮动节点。

贝尔实验室于1967年发明了浮栅MOSFET，打下闪存的基础

在浮栅（floATIng gate）上方以沉积方式构造多个次级栅极或输入电极，与浮栅绝缘。这些输入与浮栅仅有电容耦合连接。由于浮栅完全被高电阻材料包围，因此其中包含的电荷量会长时间保持不变。通常使用Fowler-Nordheim隧穿和热载流子注入机制来修改存储在浮栅中的电荷量。

在今天的电脑、手机、存储卡、洗衣机、微波炉，甚至门禁卡、交通卡中，NAND闪存无处不在。

免责声明：本文转载来自互联网，不代表本网站的观点和立场。

本文统计

  • 发布时间：2023-03-09 10:02:01
  • 最后一次修改时间：2023-09-17 13:51:25
  • 编辑次数：0
  • 浏览次数：124
  • 评论数量：0
  • 点赞次数：0

本文标签

数据存储历史 1967 闪存

评论（0）

举报
验证码
发表
最新评论

暂无评论，期待你的妙语连珠

举报文章问题
验证码
预约新游

预约成功！,

到时你将收到我们的短信提醒。

回复 宏伟路口 :
我真不理解，我只有一个女王和双生希儿！！还是比较喜欢360安全卫士的弹窗过滤，图标就在首页的右下角，开启非常的方便。而且强力过滤模式的话，可以将很多顽固的软件弹窗过滤掉，很彻底值得推荐。
取消 发表

猜你喜欢

加载更多
魔法怎么失灵啦 魔法怎么失灵啦

673
点赞

|

23790
文章

最新发布

2009年9月，英特尔发布第一代I7核心，i7-720 QM移动处理器
2024-01-10 13:11:54
PNY（必恩威）于2020年8月发售容量达到1TB的microSDXC存储卡
2024-01-09 14:12:34
2009年6月1日，AMD发布第一个Phenom II X2(双核)处理器
2024-01-08 14:56:47
JEDEC固态存储协会于2020年7月15日正式发布DDR5 SDRAM内存标准规范
2024-01-07 10:15:02
阿里2016年研发的OceanBase全面取代了Oracle
2024-01-05 14:13:39
CopyRight © 1999-2023 ejdz.cn All Right Reserved 易家知识网 版权所有 意见反馈

渝ICP备20008086号-17 渝公网安备50010702505138号渝公网安备50010702505138号

ejdz2023#163.com(#替换为@)   QQ:2368208271