1968年6月4日，IBM T.J.Watson研究中心的Robert Dennard博士获得美国专利3387286，该专利描述了一个单晶体管DRAM单元。DRAM稍后将取代计算机中的磁芯存储器。
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动态随机存取存储器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是一种半导体存储器，主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制比特（bit）是1还是0。
由于在现实中晶体管会有漏电电流的现象，导致电容上所存储的电荷数量并不足以正确的判别数据，而导致数据毁损。因此对于DRAM来说，周期性地充电是一个无可避免的要件。由于这种需要定时刷新的特性，因此被称为“动态”存储器。相对来说，静态存储器（SRAM）只要存入数据后，纵使不刷新也不会丢失记忆。
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IBM T.J. Watson研究中心的Robert Dennard博士成功取得DRAM专利
1968年6月4日，IBM T.J.Watson研究中心的Robert Dennard博士获得美国专利3387286，该专利描述了一个单晶体管DRAM单元。DRAM稍后将取代计算机中的磁芯存储器。
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动态随机存取存储器（Dynamic Random Access Memory，DRAM）是一种半导体存储器，主要的作用原理是利用电容内存储电荷的多寡来代表一个二进制比特（bit）是1还是0。
由于在现实中晶体管会有漏电电流的现象，导致电容上所存储的电荷数量并不足以正确的判别数据，而导致数据毁损。因此对于DRAM来说，周期性地充电是一个无可避免的要件。由于这种需要定时刷新的特性，因此被称为“动态”存储器。相对来说，静态存储器（SRAM）只要存入数据后，纵使不刷新也不会丢失记忆。
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