1967年，贝尔实验室的韩裔科学家姜大元和华裔科学家施敏一起发明了浮栅晶体管（Floating Gate Transistor），这个是现在SSD的基础NAND Flash的技术来源。
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NOR 和 NAND 两种闪存芯片都由很多的浮栅晶体管组成，晶体管是存储数据的最小单元，就像机械硬盘中的磁性物质代表 1 和 0。晶体管构成网格，根据网格中晶体管的数量，单个网格的容量在 256kb-4MB 之间。
SSD主要由SSD控制器，Flash存储阵列，板上DRAM(可选)以及跟HOST接口(SATA、SAS、PCIe等)组成。
Flash的基本存储单元是浮栅晶体管，同时根据制造工艺分为NOR型和NAND型。NAND容量大，按照Page进行读写，适合进行数据存储，基本上存储使用的SSD的Flash都是NAND。
Flash的工作原理和场效应管类似都是利用电压控制源极和漏极之间的通断来工作的。
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浮栅晶体管：一项重大突破的诞生
1967年，贝尔实验室的韩裔科学家姜大元和华裔科学家施敏一起发明了浮栅晶体管（Floating Gate Transistor），这个是现在SSD的基础NAND Flash的技术来源。
扩展阅读
NOR 和 NAND 两种闪存芯片都由很多的浮栅晶体管组成，晶体管是存储数据的最小单元，就像机械硬盘中的磁性物质代表 1 和 0。晶体管构成网格，根据网格中晶体管的数量，单个网格的容量在 256kb-4MB 之间。
SSD主要由SSD控制器，Flash存储阵列，板上DRAM(可选)以及跟HOST接口(SATA、SAS、PCIe等)组成。
Flash的基本存储单元是浮栅晶体管，同时根据制造工艺分为NOR型和NAND型。NAND容量大，按照Page进行读写，适合进行数据存储，基本上存储使用的SSD的Flash都是NAND。
Flash的工作原理和场效应管类似都是利用电压控制源极和漏极之间的通断来工作的。
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