英特尔在 Hot Chips 2023 期间展示了一款全新的 CPU。这颗芯片基于 RISC 精简指令集而非传统 x86,具有 8 核以及 528 线程,可提供十分强悍的并行和多核性能。
英特尔开发这种特殊芯片是为了满足一些特定的工作负载,这些工作负载不仅需要极高的并行计算能力,还会导致可用硬件(尤其是缓存)的利用率不足,例如图形分析领域,类似 DARPA 的 HIVE 项目。
对于类似的工作负载,英特尔设计了一款具有 8 个物理核心以及 528 个逻辑线程的新 CPU,其中每个核心均具备 66 个线程,而且每个核心都有着 192KB 缓存和 4MB SRAM。
值得一提的是,这颗 CPU 虽然基于 RISC 架构,但它利用了硅光子学进行网络通信。也就是说,该 CPU 将以芯片组的形式出现,借助 EMIB 互连技术将光芯片连接到主 CPU 芯片上。
此外,英特尔这款 CPU 还具有 16 个多线程管道(MTP),而单线程管道(STP)可提供八倍的单线程性能。
如前所述,这枚芯片基于定制 RISC 设计,每个线程都包含 32 个寄存器。此外,该芯片还支持自定义 DDR5 内存控制器,最高支持 DDR5-4400 DIMMs(8B 访问粒度)、32 个高速 AIB 端口和 PCIe Gen4 x8 协议。
部分关于芯片的参数:
台积电 7nm FinFET 工艺节点
互连:15 个金属层
2.76 亿晶体管
12 亿晶体管(CPU 核心)
总计 316mm2 面积
每个核心面积为 9.2 mm2
705 Signals
据介绍,英特尔已经部署了一个基于 16 个路由器的 2D on-die mesh 网状互连结构,其核心可以在系统内外相互通信,而无需添加其他网络功能。
它采用了 BGA-3275 插槽,可同时支持 32 个光口(速度为 32 GB/s/dir),并支持 32 GB 的自定义 DDR5-4400 DRAM。
该平台还将支持最多 16 个插槽的 OCP sled 封装尺寸,因此最高配的情况下可以有 120 个核心和 8448 个线程,支持最高 512 GB 的 DRAM。
英特尔还展示了其 CPU 的功耗和 Fmax 数据,这颗八核芯片具有 75W 的 TDP,其中大部分功耗用于光子学领域,而内核本身只占用了约 21% 的功耗指标,约为 16W。
据说,该芯片可以在 3.35-3.5 GHz 左右的频率和 35-55W 的功率之家维持平衡,而该公司声称其核心数量如果增加 10 倍则将获得对应的线性性能。
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英特尔公开基于RISC架构的8核528线程CPU
英特尔在 Hot Chips 2023 期间展示了一款全新的 CPU。这颗芯片基于 RISC 精简指令集而非传统 x86,具有 8 核以及 528 线程,可提供十分强悍的并行和多核性能。
英特尔开发这种特殊芯片是为了满足一些特定的工作负载,这些工作负载不仅需要极高的并行计算能力,还会导致可用硬件(尤其是缓存)的利用率不足,例如图形分析领域,类似 DARPA 的 HIVE 项目。
对于类似的工作负载,英特尔设计了一款具有 8 个物理核心以及 528 个逻辑线程的新 CPU,其中每个核心均具备 66 个线程,而且每个核心都有着 192KB 缓存和 4MB SRAM。
值得一提的是,这颗 CPU 虽然基于 RISC 架构,但它利用了硅光子学进行网络通信。也就是说,该 CPU 将以芯片组的形式出现,借助 EMIB 互连技术将光芯片连接到主 CPU 芯片上。
此外,英特尔这款 CPU 还具有 16 个多线程管道(MTP),而单线程管道(STP)可提供八倍的单线程性能。
如前所述,这枚芯片基于定制 RISC 设计,每个线程都包含 32 个寄存器。此外,该芯片还支持自定义 DDR5 内存控制器,最高支持 DDR5-4400 DIMMs(8B 访问粒度)、32 个高速 AIB 端口和 PCIe Gen4 x8 协议。
部分关于芯片的参数:
台积电 7nm FinFET 工艺节点
互连:15 个金属层
2.76 亿晶体管
12 亿晶体管(CPU 核心)
总计 316mm2 面积
每个核心面积为 9.2 mm2
705 Signals
3275 BGA 封装尺寸据介绍,英特尔已经部署了一个基于 16 个路由器的 2D on-die mesh 网状互连结构,其核心可以在系统内外相互通信,而无需添加其他网络功能。
它采用了 BGA-3275 插槽,可同时支持 32 个光口(速度为 32 GB/s/dir),并支持 32 GB 的自定义 DDR5-4400 DRAM。
该平台还将支持最多 16 个插槽的 OCP sled 封装尺寸,因此最高配的情况下可以有 120 个核心和 8448 个线程,支持最高 512 GB 的 DRAM。
英特尔还展示了其 CPU 的功耗和 Fmax 数据,这颗八核芯片具有 75W 的 TDP,其中大部分功耗用于光子学领域,而内核本身只占用了约 21% 的功耗指标,约为 16W。
据说,该芯片可以在 3.35-3.5 GHz 左右的频率和 35-55W 的功率之家维持平衡,而该公司声称其核心数量如果增加 10 倍则将获得对应的线性性能。
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